Анализ кристаллитов — важнейший этап в материаловедении, позволяющий изучать структуру и свойства кристаллических материалов. Среди современных методов исследования особое место занимают рентгеноструктурный анализ (РСА) и электронная микроскопия. Эти методы дают уникальную информацию о размерах кристаллитов, их ориентации, дефектах структуры и других характеристиках.
Рентгеновская дифракция — классический метод исследования структуры кристаллических материалов, основанный на явлении дифракции рентгеновских лучей на кристаллической решетке. Принцип метода был открыт в 1912 году Максом фон Лауэ, за что он получил Нобелевскую премию по физике в 1914 году.
Размер кристаллитов оценивается по уширению дифракционных максимумов с использованием формулы Шеррера: D = Kλ/(βcosθ), где D — средний размер кристаллитов, K — постоянная (~0.9), λ — длина волны излучения, β — ширина пика на полувысоте, θ — угол Брэгга.
Современная электронная микроскопия позволяет визуализировать отдельные кристаллиты с атомарным разрешением. Различают два основных типа электронных микроскопов:
Интересный факт: Современные просвечивающие электронные микроскопы с коррекцией аберраций позволяют различать атомы, расположенные на расстоянии всего 0.05 нм друг от друга!
Оба метода имеют свои преимущества и ограничения, и часто используются в комплексе:
Комбинация рентгеновских и электронных методов исследования позволяет получить наиболее полную картину структуры материала на всех уровнях — от атомарного до макроскопического.
В последние годы активно развиваются:
Особенно перспективным направлением является 4D-электронная микроскопия, которая добавляет временное разрешение к пространственному, позволяя изучать динамику атомных процессов.